Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    2 left arrow 16.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,072.7 left arrow 11.3
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 75
    Intorno -150% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 5300
    Intorno 3.62 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    75 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    2,730.3 left arrow 16.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,072.7 left arrow 11.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    858 left arrow 3119
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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