RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB 考慮すべき理由
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 16.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,072.7 left arrow 11.3
    テスト平均値
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 75
    周辺 -150% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    75 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    2,730.3 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,072.7 left arrow 11.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    858 left arrow 3119

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB RAMの比較

Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
メモリRAM