RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Confronto
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
91
Intorno -176% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
1,964.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
91
33
Velocità di lettura, GB/s
3,032.3
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,964.2
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
682
2945
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link