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Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Confronto
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB vs Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
91
105
Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
1,993.8
1,964.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
91
105
Velocità di lettura, GB/s
3,032.3
2,945.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,964.2
1,993.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
5300
Other
Descrizione
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
682
667
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-030.A00G 16GB
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A-DATA Technology 11137401 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
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