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Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB

Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB vs Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB

総合得点
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Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB

総合得点
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Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB

Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB 考慮すべき理由
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    91 left arrow 105
    周辺 13% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 2
    テスト平均値
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB 考慮すべき理由
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    1,993.8 left arrow 1,964.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    91 left arrow 105
  • 読み出し速度、GB/s
    3,032.3 left arrow 2,945.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,964.2 left arrow 1,993.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • 商品説明
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    682 left arrow 667

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Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
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Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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