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Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Confronto
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB vs Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,016.2
1,993.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
105
105
Velocità di lettura, GB/s
2,945.3
2,861.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,993.8
2,016.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
5300
Other
Descrizione
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
667
672
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB Confronto tra le RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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