Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 18
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    35 left arrow 65
    Intorno -86% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.2 left arrow 1,574.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 5300
    Intorno 4.83 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    65 left arrow 35
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,858.9 left arrow 18.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,574.4 left arrow 11.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    607 left arrow 3141
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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