RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
74
Intorno -236% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
22
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3509
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link