RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
74
Intorno -164% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
28
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3666
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link