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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
11.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
74
Intorno -124% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
33
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2634
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
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