RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
74
Intorno -131% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
32
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3274
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link