RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
74
Intorno -155% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
29
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3432
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link