RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
74
Intorno -208% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
24
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2850
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99P5471-024.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link