RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
74
Intorno -236% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
2,201.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
22
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2682
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link