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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
74
Intorno -147% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
30
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3352
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
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A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
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