RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
74
Intorno -185% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
26
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3832
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/8GX 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link