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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
15.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
74
Intorno -131% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
32
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3593
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
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