RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
16.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
74
Intorno -311% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
18
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
20.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3722
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link