RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
74
Intorno -208% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
2,201.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
24
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2821
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link