RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
74
Intorno -131% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
2,201.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
32
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2307
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link