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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
12.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
74
Intorno -139% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
31
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
no data
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
, 1.20000005, CAS Supported:
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3043
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
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