RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
74
Intorno -131% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
32
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3164
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link