RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
11.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
74
Intorno -106% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
36
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2696
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link