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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
74
Intorno -185% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
26
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
2744
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
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G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
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