RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
73
Intorno -152% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
29
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
3409
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link