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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
73
Intorno -78% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
41
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2870
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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