RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
73
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
41
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2870
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link