RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Porównaj
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1857
1998
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905474-043.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link