RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
65
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
53
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2285
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link