Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Unterschiede

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 10.4
    Durchschnittswert bei den Tests
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    53 left arrow 65
    Rund um -23% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.6 left arrow 2,784.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 6400
    Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    65 left arrow 53
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,806.8 left arrow 10.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,784.6 left arrow 8.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    932 left arrow 2285
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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