Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 10.4

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

53 65

Около -23% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.6 2,784.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

65 53
Скорость чтения, Гб/сек

4,806.8 10.4
Скорость записи, Гб/сек

2,784.6 8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

932 2285

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Kingston 9905744-006.A00G 16GB

Kingston 9905744-006.A00G 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB

Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB

Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB

модули RAM