RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
69
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
3.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
37
Prędkość odczytu, GB/s
6.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
3.7
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1129
2808
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link