RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
73
Intorno -161% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
28
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
3384
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kllisre 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link