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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
73
Intorno -170% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
27
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
3561
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
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