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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
73
Por volta de -170% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
15.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3561
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB Comparações de RAM
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
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Mushkin 991586 2GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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