RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
73
Intorno -232% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
22
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
3255
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre 0000 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link