RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
73
En -232% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3255
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link