RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
73
Intorno -128% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
32
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2903
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link