RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
73
En -128% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2903
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link