RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
73
Intorno -232% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
22
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
3779
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link