RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
73
Wokół strony -232% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3779
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link