RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
66
73
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
66
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
1953
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
UMAX Technology 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link