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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
55
73
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
55
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2078
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
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