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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
総合得点
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
総合得点
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
相違点
仕様
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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考慮すべき理由
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
55
73
周辺 -33% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.3
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.4
1,423.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
73
55
読み出し速度、GB/s
3,510.5
9.3
書き込み速度、GB/秒
1,423.3
7.4
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
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