RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
73
Intorno -92% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.1
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
38
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
1493
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link