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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
73
Intorno -49% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.8
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
49
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
8.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2331
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
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