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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
49
73
左右 -49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.8
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
49
读取速度,GB/s
3,510.5
8.8
写入速度,GB/s
1,423.3
8.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2331
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
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