RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
65
73
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
1,711.1
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
6400
5300
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
73
65
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
4,018.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
1,711.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
6400
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
513
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link