RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Причины выбрать
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    65 left arrow 73
    Около -12% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    1,711.1 left arrow 1,423.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    6400 left arrow 5300
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    73 left arrow 65
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,510.5 left arrow 4,018.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,423.3 left arrow 1,711.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    476 left arrow 513

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Сравнения RAM

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
модули RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
модули RAM
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
модули RAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
модули RAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
модули RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
модули RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
модули RAM