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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
64
73
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
64
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2103
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
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Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
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